用于描述先进晶体管行为的数学紧凑模型至关重要。 这些模型被广泛应用于电路仿真和设计，帮助工程师预测和优化复杂集成电路的性能。 它们需要在精度、计算效率和模型复杂度之间取得平衡。 研究人员不断开发和改进这些模型，以应对不断进步的晶体管技术的挑战，例如 FinFET 和其他新兴器件架构。 通过使用紧凑模型，设计人员可以在制造之前有效地探索各种设计方案，从而缩短开发周期并降低成本。 该领域的持续研究和开发对于确保先进电子系统的持续进步至关重要。